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�(kuò)散電�
閱讀�1731�(shí)間:2023-08-21 14:36:01

�(kuò)散電容是指PN�(jié)或MOSFET等半�(dǎo)體器件中由于摻雜區(qū)域與非摻雜區(qū)域的電荷集中分布而產(chǎn)生的電容。打破了其空間均勻性和�(jiǎn)單性,因此�(duì)于半�(dǎo)體元件的�(shè)�(jì)和模擬具有重要作��

介紹

PN�(jié)或MOSFET等半�(dǎo)體器件中的擴(kuò)散電容是由于不同類型材料的擴(kuò)散過(guò)程所�,即摻雜區(qū)域內(nèi)的少�(shù)載流子向非摻雜區(qū)域中�(kuò)散從而形成空間電荷區(qū),最終表�(xiàn)為電容效�(yīng)�

如何�(jì)�

�(kuò)散電容可以通過(guò)以下公式�(jìn)行計(jì)算:

  • CJ: �(kuò)散電容�

  • q: 電子電荷

  • εs: 硅的介電常數(shù)

  • Na: 摻雜區(qū)少數(shù)帶正離子表面濃度

  • Nd: 摻雜區(qū)多數(shù)帶電子表面濃�

  • Vbi: �(nèi)建電�(shì)

  • Va: 外加電勢(shì)

物理意義

�(kuò)散電容是半導(dǎo)體器件中重要的一�(gè)參數(shù),它可以影響器件的高頻性能和動(dòng)�(tài)特�。通過(guò)�(jì)算擴(kuò)散電容可以預(yù)估隨著外部電�(shì)變化,載流子的位置發(fā)生移�(dòng)�(duì)電容值的影響程度,為器件的設(shè)�(jì)者提供了便利�

維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��

已收錄詞�153979�(gè)

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