�(kuò)散電容是指PN�(jié)或MOSFET等半�(dǎo)體器件中由于摻雜區(qū)域與非摻雜區(qū)域的電荷集中分布而產(chǎn)生的電容。打破了其空間均勻性和�(jiǎn)單性,因此�(duì)于半�(dǎo)體元件的�(shè)�(jì)和模擬具有重要作��
PN�(jié)或MOSFET等半�(dǎo)體器件中的擴(kuò)散電容是由于不同類型材料的擴(kuò)散過(guò)程所�,即摻雜區(qū)域內(nèi)的少�(shù)載流子向非摻雜區(qū)域中�(kuò)散從而形成空間電荷區(qū),最終表�(xiàn)為電容效�(yīng)�
�(kuò)散電容可以通過(guò)以下公式�(jìn)行計(jì)算:
CJ: �(kuò)散電容�
q: 電子電荷
εs: 硅的介電常數(shù)
Na: 摻雜區(qū)少數(shù)帶正離子表面濃度
Nd: 摻雜區(qū)多數(shù)帶電子表面濃�
Vbi: �(nèi)建電�(shì)
Va: 外加電勢(shì)
�(kuò)散電容是半導(dǎo)體器件中重要的一�(gè)參數(shù),它可以影響器件的高頻性能和動(dòng)�(tài)特�。通過(guò)�(jì)算擴(kuò)散電容可以預(yù)估隨著外部電�(shì)變化,載流子的位置發(fā)生移�(dòng)�(duì)電容值的影響程度,為器件的設(shè)�(jì)者提供了便利�
維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��
已收錄詞�153979�(gè)