MOS控制晶閘管(MOS-controlled thyristor,簡(jiǎn)�(chēng)MCT)是一種功率半�(dǎo)體器件,�(jié)合了金屬-氧化�-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)和雙極型晶閘管的優(yōu)�(diǎn),具有潛在的高�、高電壓、低功�、高集成度和低阻抗等特點(diǎn)。MCT器件�(jié)�(gòu)與晶閘管相似,但采用多�(gè)PN�(jié)�(shè)�(jì),在控制極上添加MOS柵極,并引入耐壓注入技�(shù),使得該元件能夠?qū)崿F(xiàn)由MOS柵極控制�(kāi)�(guān)的功��
MOS控制晶閘管主要由四�(gè)PN�(jié)組成,分別是P+,N?,N+,P?。當(dāng)P+區(qū)施加正向電壓且P?區(qū)施加�(fù)向電壓時(shí),形成PNP�(jié)�(gòu)。當(dāng)N+區(qū)施加正向電壓且N?區(qū)施加�(fù)向電壓時(shí),形成NPN�(jié)�(gòu)。而MOS柵極通過(guò)控制P+區(qū)的耗盡層深度來(lái)控制NPN�(jié)和PNP�(jié)之間的開(kāi)�(guān)�(zhuǎn)�,從而實(shí)�(xiàn)器件的導(dǎo)通與截止�
1. 采用耐壓注入技�(shù),具有高壓承受能��
2. 由于MOS柵極的電容很小,可以�(shí)�(xiàn)低功率控��
3. 由于MCT的加深結(jié)�(gòu),比同等電流下的晶閘管開(kāi)�(guān)速度更快�
4. 可以在短�(shí)間內(nèi)切換大電��
5. 具有自我保護(hù)功能,可以避免熱失效或電擊使得器件損壞�
MOS控制晶閘管可以廣泛應(yīng)用于各種電力和電子控制領(lǐng)�,如交流變頻�(diào)速、電�(dòng)�(chē)輛驅(qū)�(dòng)、UPS、電源逆變、氣體放電燈控制、高壓直流輸電和變換器等。其�,MCT已成為“下一代電力半�(dǎo)體”之一�
維庫(kù)電子通,電子知識(shí),一查百��
已收錄詞�153979�(gè)