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P溝MOS晶體�
閱讀�1061�(shí)間:2023-08-15 09:46:39

P溝MOS晶體管是一種使用了金屬氧化物半�(dǎo)體(MOS)結(jié)�(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體�,是CMOS電路中的�(guān)鍵元件之一。它由一�(gè)P型的襯底、一�(gè)N型的漏極、一�(gè)由氧化物分隔的柵極和兩條由源區(qū)�(kuò)散的N型槽道組��

介紹

P溝MOS晶體管是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體�,其中P型襯底被用作ngate的基�,而兩�(gè)N型區(qū)域作為與柵極接觸的導(dǎo)電電極和源極�

特點(diǎn)

P溝MOS晶體管的特點(diǎn)包括低功�、高輸入阻抗、封裝緊�、可靠性高、噪聲低、面積小等優(yōu)�(diǎn)。它也易于集成到大規(guī)模集成電路(LSI)和超大�(guī)模集成電路(VLSI)系�(tǒng)�,是�(shù)字集成電路技�(shù)的重要組成部��

工作原理

�(dāng)電源電壓被施加到P溝MOS晶體管的柵極上時(shí),它�(huì)形成一�(gè)電場(chǎng),該電場(chǎng)將在兩�(gè)N型區(qū)域中形成一條導(dǎo)電通道。這�(gè)�(dǎo)電通道可以連接兩�(gè)N型區(qū)�,并且可以通過(guò)改變柵電壓來(lái)控制�(dǎo)電通道的電��

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