吸收電容在電路中起的作用類似于低�濾波�,可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極�晶體管(IGBT),消除由于母排的雜散電感引起的尖峰電壓,避免絕緣柵雙極型晶體管的損壞�
雙面金屬化膜�(nèi)串結(jié)�(gòu)、特別的�(nèi)部設(shè)計和端面噴金技�(shù),使電容具低感抗,多條引線設(shè)�,可承受更高紋波電流,高du/dv以及高過壓能�。用于各類IGBT緩沖線路突波吸收,各類高頻諧振線��
電容�(jié)�(gòu): 雙層金屬化膜,內(nèi)部串�(lián)�(jié)�(gòu)
封裝: 阻燃塑膠外殼,環(huán)氧樹脂封�,符�(UL94V-0 )�(biāo)�(zhǔn).
尺寸: 適合于各種IGBT保護(hù)�
電容�: 0.0047 to 6.8μF
額定電壓: 700 to 3000 Vdc
損耗角正切:
測試條件 1000±20 Hz � 25±5�.
Cr�1.0μF� 4×10-4� Cr>1.0μF� 6×10-4
絕緣電阻: 3000s,s= MΩ. μF
測試條件 1 minute�100Vdc (25±5�)
耐電�: 2Ur (DC)測試條件 10s,t 25±5��1Min
工作溫度: -40~+85�
母線電感以及緩沖電路及其元件�(nèi)部的雜散電感,對IGBT 電路尤其是大功率IGBT 電路,有極大的影�。因�,希望它愈小愈好。要減小這些電感,需從多方面入手�,直流母線要盡量地短;第�,緩沖電路要盡可能地貼近模塊;第�,選用低電感的聚丙烯無極電容,與IGBT 相匹配的快速緩沖二極管,以及無感泄放電阻;第四,其它有效措�。目�,緩沖電路的制作工藝也有多種方式:有用分立件連接�;有通過印制版連接�;更有用緩沖電容模塊直接安裝在IGBT 模塊上的。顯�,一種方式因符合上述第二、第三種降感措施,因而緩沖效�,能限度地保�(hù)IGBT 安全�(yùn)行�
維庫電子�,電子知�,一查百��
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