咪頭,是將聲音信�(hào)�(zhuǎn)換為電信�(hào)的能��(zhuǎn)換器件,是和喇叭正好相反的一�(gè)器件(電→聲�。是聲音�(shè)備的兩�(gè)終端,咪頭是輸入,喇叭是輸出。又�麥克�(fēng),話(huà)筒,傳聲�,咪膽等�
咪頭的測(cè)試條�;MIC的使用應(yīng)�(guī)定其工作電壓和負(fù)載電阻,不同的使用條�,其靈敏度的大小有很大的影響�
電壓 電阻
1、消耗電流:即咪頭的工作電流
主要是FET在VSG=0�(shí)的電流,根據(jù)FET的分�,可以做成不同工作電流的傳聲�。但是對(duì)于工作電壓低、負(fù)載電阻大的情況下,對(duì)于工作電流就有嚴(yán)格的要求,由電原理圖可知
VS=VSD+ID×RL ID = (VS- VSD�/ RL
式中 ID FET 在VSG等于零時(shí)的電�
RL為負(fù)載電�
VSD,即FET的S與D之間的電壓降
VS為標(biāo)�(zhǔn)工作電壓
總的要求 100μA〈IDS�500μA
2、靈敏度�?jiǎn)挝宦晧簭?qiáng)下所能產(chǎn)生電壓大小的能力�
單位:V/Pa � dBV/Pa 有的公司使用是dBV/μBar
-40 dBV/Pa=-60dBV/μBar
0 dBV/Pa=1V/Pa
聲壓�(qiáng)Pa=1N/m2
3、輸出阻抗:基本相當(dāng)于負(fù)載電阻RL�1-70[%])之��
4、方向性及頻響特性曲線:
a、全向: MIC的靈敏度是在相同的距離下在任何方向上相等,全向MIC的結(jié)�(gòu)是PCB上全部密�,因�,聲壓只有從MIC的音孔�(jìn)入,因此是屬于壓�(qiáng)型傳聲器�
頻率特性圖�
b、單� 單向MIC 具有方向�,如果MIC的音孔正�(duì)聲源�(shí)�0度,那么�0度時(shí)靈敏��180度時(shí)靈敏�,在全方位上呈心型圖,單向MIC的結(jié)�(gòu)與全向MIC不同,它是在PCB上開(kāi)有一些孔,聲音可以從音孔和PCB的開(kāi)孔�(jìn)�,而且MIC的內(nèi)部還裝有吸音材料,因此是介于壓強(qiáng)和壓差之間的MIC�
頻率特性圖�
c、消噪型:是屬于壓差式MIC,它與單向MIC不同之處在于�(nèi)部沒(méi)有吸音材�,它的方向型圖是一�(gè)8字型�
頻率特性:
5、頻率范圍:
全向� 50~12000Hz 20~16000Hz
單向�100~12000Hz 100~16000Hz
消噪�100~10000Hz
6、聲壓級(jí):是指MIC的失真在3[%]�(shí)的聲壓級(jí),聲壓級(jí)定義�20μpa=0dBSPL
MaxSPL�115dBSPLA SPL聲壓�(jí) A為A�(jì)�(quán)
7、S/N信噪比:即MIC的靈敏度與在相同條件下傳聲器本身的噪聲之�,詳�(jiàn)�(chǎn)品手�(cè),噪聲主要是FET本身的噪��
1、從工作原理上分�
炭精粒式
電磁�
電容�
駐極體電容式(以下介紹以駐極體式為主�
壓電晶體�,壓電陶瓷式
二氧化硅式等
2、從尺寸大小�,駐極體式又可分為若干��
Φ9.7系列�(chǎn)� Φ8系列�(chǎn)� Φ6系列�(chǎn)�
Φ4.5系列�(chǎn)� Φ4系列�(chǎn)� Φ3系列�(chǎn)�
每�(gè)系列中又有不同的高度
3、從咪頭的方向�,可分為全向,單向,雙向(又�(chēng)為消噪式�
4、從極化方式上分,振膜式,背極�,前極�
從結(jié)�(gòu)上分又可以分為柵極點(diǎn)焊式,柵極壓接�,極環(huán)連接式等
5、從�(duì)外連接方式�
普通焊�(diǎn)式:L�
帶PIN腳式:P�
同心圓式� S�
由靜電學(xué)可知,對(duì)于平行板電容器,有如下的�(guān)系式:C=ε.S/L ……①即電容的容量與介�(zhì)的介電常�(shù)成正�,與兩�(gè)極板的面積成正比,與兩�(gè)極板之間的距離成反比�
另外,當(dāng)一�(gè)電容器充有Q量的電荷,那么電容器兩�(gè)極板要形成一定的電壓,有如下�(guān)系式:C=Q/V ……②
�(duì)于一�(gè)駐極體咪頭,�(nèi)部存在一�(gè)由振�,墊片和極板組成的電容器,因?yàn)槟て铣溆须�?,并且是一�(gè)塑料�,因此當(dāng)膜片受到聲壓�(qiáng)的作用,膜片要產(chǎn)生振�(dòng),從而改變了膜片與極板之間的距離,從而改變了電容器兩�(gè)極板之間的距離,�(chǎn)生了一�(gè)Δd的變�,因此由公式①可�,必然要�(chǎn)生一�(gè)ΔC的變化,由公式②又知,由于ΔC的變�,充電電荷又是固定不變的,因此必然產(chǎn)生一�(gè)ΔV的變��
這樣初步完成了一�(gè)由聲信號(hào)到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換�
由于這�(gè)信號(hào)非常微弱,內(nèi)阻非常高,不能直接使�,因此還要�(jìn)行阻抗變換和放大�
FET�(chǎng)效應(yīng)管是一�(gè)電壓控制元件,漏極的輸出電流受源極與柵極電壓的控��
由于電容器的兩�(gè)極是接到FET的S極和G極的,因此相�(dāng)于FET的S極與G極之間加了一�(gè)Δv的變化量,F(xiàn)ET的漏極電流I就產(chǎn)生一�(gè)ΔID的變化量,因此這�(gè)電流的變化量就在電阻RL上產(chǎn)生一�(gè)ΔVD的變化量,這�(gè)電壓的變化量就可以通過(guò)電容C0輸出,這�(gè)電壓的變化量是由聲壓引起�,因此整�(gè)咪頭就完成了一�(gè)聲電的轉(zhuǎn)換過(guò)程�
FET(�(chǎng)效應(yīng)�)MIC的主要器�,起到阻抗變換或放大的作用�
C:是一�(gè)可以通過(guò)膜片震動(dòng)而改變電容量的電�,聲電轉(zhuǎn)換的主要部件�
C1,C2是為了防止射頻干擾而設(shè)置的,可以分別對(duì)兩�(gè)射頻頻段的干擾起到抑制作用�
RL:�(fù)載電�,它的大小決定靈敏度的高低�
VS:工作電壓,MIC提供工作電壓�
CO:隔直電容,信�(hào)輸出��
維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��
已收錄詞�153979�(gè)