�(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)�。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金� - 氧化物半�(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)�,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半�(dǎo)體器�。具有輸入電阻高�107�1015Ω�、噪聲小、功耗低、動(dòng)�(tài)范圍�、易于集�、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)�?qū)挼葍?yōu)�(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的�(qiáng)大競(jìng)�(zhēng)��
�1)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過VGS(柵源電壓)來控制ID(漏極電流)�
�2)場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極�,因此它的輸入電阻(107�1012Ω)很��
�3)它是利用多�(shù)載流子導(dǎo)�,因此它的溫度穩(wěn)定性較��
�4)它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系�(shù)�
�5)場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)�
�6)由于它不存在雜亂運(yùn)�(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,所以噪聲低�
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