硅微條探�(cè)� Silicon Strip Detector 硅微條探�(cè)器是在一�(gè)n型硅基的上表面附著一條條�?fù)诫sp+型微條,將整�(gè)硅基底面作成�?fù)诫s的n+層而制成的。整�(gè)硅微條探�(cè)器實(shí)際上就是一些平行的PN�(jié),中間夾雜的是PN�(jié)的耗盡�,也是探�(cè)的靈敏區(qū)�
硅微條探�(cè)器 Silicon Strip Detector 硅微條探�(cè)器是在一�(gè)n型硅基的上表面附著一條條�?fù)诫sp+型微�,將整�(gè)硅基底面作成�?fù)诫s的n+層而制成的。整�(gè)硅微條探�(cè)器實(shí)際上就是一些平行的PN�(jié),中間夾雜的是PN�(jié)的耗盡�,也是探�(cè)的靈敏區(qū)?! ≡诠栉l探測(cè)器上部的微條表面鍍有鋁膜,作為信�(hào)讀出條;整�(gè)底面也附有一層鋁,作為電極接觸。在探測(cè)器上加高�,使中間的耗盡層擴(kuò)展到整�(gè)n型硅基,同時(shí)形成很強(qiáng)的電�(chǎng)。當(dāng)帶電粒子穿過(guò)硅微條探�(cè)器的靈敏區(qū)�(shí),將�(chǎn)生電子-空穴�(duì)。在�(qiáng)電場(chǎng)的作用用,電子向正極(底板)漂移,空穴向有負(fù)偏壓的微條漂�,于是便能在微條上讀出電荷信�(hào),其后會(huì)�(jīng)�(guò)前置放大器將信號(hào)放大,作�(jìn)一步的處理�?! 「鶕?jù)探測(cè)器系�(tǒng)�(cè)得的帶電粒子的信�,及帶電粒子在各�(gè)微條上的位置參量,可以確定各有關(guān)帶電粒子的運(yùn)�(dòng)軌跡及對(duì)撞后末態(tài)粒子的次�(jí)頂點(diǎn)等等?! ∮捎诠栉l探測(cè)器可以做的很�(300um左右�,因此讀出信�(hào)用的�(shí)間很�,使探測(cè)器有很快的時(shí)間響�(yīng)(約5ns)。硅微條探測(cè)器是半導(dǎo)體探�(cè)器的一�,其能量分辨率比氣體探測(cè)器高一�(gè)�(shù)量級(jí),比閃爍體探�(cè)器高的更多。同�(shí)由于半導(dǎo)體的平均電離能與入射粒子的基本能量無(wú)�(guān),探�(cè)器能有很好的線性范��
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