N溝MOS晶體管是金屬-氧化�-半導(dǎo)�(Metal-Oxide-Semiconductor)的一種,�(jié)�(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體�,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC�
�(chǎn)品組合包�-100~1700 V功率MOSFET、擊穿電壓范圍為300~1700 V的IGBT、以�15~1700 V功率雙極晶體管。由于改進了功率電子系統(tǒng)的熱�(shè)�,意法半�(dǎo)體的碳化硅(SiC)MOSFET具有�(yè)界最高的200 °C額定�(jié)�,電壓范圍從650�1700 V,確保良好的�(wěn)定性。此�,我們的硅基氮化鎵(GaN/Si)晶體管可實�(xiàn)最高效率和最大功率密度,因為其具有特殊的動態(tài)�(dǎo)通狀�(tài)電阻和微小電容(100�650 V��
制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單,集成度高、抗干擾能力�,特別適合于大規(guī)模集成電路�
在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底�,制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個電�,分別作漏極d和源極s。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣�,在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g�