瞬態(tài)抑制二極�是一種能把瞬�(tài)電壓抑制在被保護(hù)元件能承受的安全水平的高效能保護(hù)器件。瞬�(tài)電壓�交流電路上電流與電壓的一種瞬時態(tài)的畸�,會對微電子半導(dǎo)�芯片造成損壞。雖然有些微電子半導(dǎo)體芯片受到瞬�(tài)電壓侵襲�,它的性能沒有明顯的下�,但是多次累積的侵襲會給芯片器件造成�(nèi)傷而形成隱�。瞬�(tài)抑制二極管能夠有效地保護(hù)電子�路中的精密元器件,免受各種浪涌脈沖的損壞�
瞬態(tài)電壓是交流電路上電流與電壓的一種瞬時態(tài)的畸�。浪�、諧波為主要的表�(xiàn)形式。超高壓是指通常的瞬�(tài)電壓尖峰,高出正常電路電壓幅值的好幾�。瞬時態(tài)是指瞬態(tài)電壓持續(xù)的時間非常之短,它可以在�(shù)億分之一秒內(nèi)完成迸發(fā)到消失的過程。高頻次是指瞬態(tài)電壓的活動十分頻繁,可以說無時不�、無處不�。瞬�(tài)電壓是會對微電子半導(dǎo)體芯片造成損壞�。雖然有些微電子半導(dǎo)體芯片受到瞬�(tài)電壓侵襲�,它的性能沒有明顯的下�,但是多次累積的侵襲會給芯片器件造成�(nèi)傷而形成隱患。瞬�(tài)電壓對芯片器件造成的損傷難以與其它原因造成的損傷加以區(qū)�, 從而不自覺地掩蓋了失效的真正原�。由于微電子半導(dǎo)體芯片的精、細(xì)、結(jié)�(gòu), 如要替換或修理需要使用高度精密儀�,是非常費�?shù)?。為一的有效方法就是把瞬態(tài)電壓抑制在被保護(hù)元件能承受的安全水平。瞬�(tài)抑制二極管就是這樣一種保�(hù)元件�
Vrwm可承受的反向電壓:在此階段瞬�(tài)電壓抑制二極管為不導(dǎo)通之狀�(tài)。Vrwm必需大於電路的正常工作電�, 否則瞬態(tài)電壓抑制二極管會不斷截止回路電壓。但Vrwm需要盡量與被保�(hù)回路的正常工作電壓接�,這樣才不會在瞬態(tài)電壓抑制二極管工作以前使整個迥路面對過壓威��
Vbr反向崩潰電壓:當(dāng)瞬態(tài)電壓超過Vbr,瞬態(tài)電壓抑制二極管便�(chǎn)生崩潰把瞬態(tài)電壓抑制在某個水�,提供瞬態(tài)電流一個超低電阻通路,讓瞬�(tài)電流透過瞬態(tài)電壓抑制二極管被引開,避開被保�(hù)元件�
Ir反向漏電電流:瞬�(tài)電壓抑制二極管是以反向電流的方式連接在線路上,一般都會有10-100A的反向漏電電��
Vc瞬態(tài)電壓抑制二極管的抑制電壓:Vc是在瞬態(tài)電壓沖擊�,例如靜電,在截�?fàn)顟B(tài)所提供的電�。Vc也是用來測定瞬態(tài)電壓抑制二極管在抑制瞬態(tài)電壓時的性能。Vc不能大於被保�(hù)迥路的可承受極限電壓,否則元件面臨被損壞。Vc通常都是越小越好�
TVS瞬態(tài)電壓抑制二極管的值:對於�(shù)�(jù)/ 訊號頻率越高的回�,瞬態(tài)電壓抑制二極管的電容值對電路的干擾越大。這會形成噪音或衰減訊號強�。高頻迥路或高傳輸如USB2.0,1394,需要選擇低電容值瞬�(tài)電壓抑制二極�,電容值不大於10pF。而對電容值要求不高的回路,電容值可高於100pF�
1、確定被保護(hù)電路的最大直流或連續(xù)工作電壓、電路的額定�(biāo)�(zhǔn)電壓和“高端”容��
2、TVS額定反向�(guān)斷VWM�(yīng)大于或等于被保護(hù)電路的最大工作電壓。若選用的VWM太低,器件可能�(jìn)入雪崩或因反向漏電流太大影響電路的正常工�。串行連接分電壓,并行連接分電��
3、TVS的最大箝位電壓VC�(yīng)小于被保�(hù)電路的損壞電��
4、在�(guī)定的脈沖持續(xù)時間�(nèi),TVS的最大峰值脈沖功耗PM必須大于被保�(hù)電路�(nèi)可能出現(xiàn)的峰值脈沖功率。在確定最大箝位電壓后,其峰值脈沖電流應(yīng)大于瞬態(tài)浪涌電流�
5、對于數(shù)�(jù)電路的保�(hù),還必須注意選取具有合適電容C的TVS器件�
6、根�(jù)用途選用TVS的極性及封裝�(jié)�(gòu)。交流電路選用雙極性TVS較為合理;多線保�(hù)選用TVS陣列更為有利�
7、溫度考慮。可以在�55~+150℃之間工�。如果需要TVS在一個變化的溫度工作,由于其反向漏電流ID是隨增加而增大;功耗隨TVS�(jié)溫增加而下�,從+25℃到+175℃,大約線性下�50%雨擊穿電壓VBR隨溫度的增加按一定的系數(shù)增加。因�,必須查閱有�(guān)�(chǎn)品資料,考慮溫度變化對其特性的影響�
維庫電子�,電子知�,一查百��
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