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雙極型隨機存儲器
閱讀�2630時間�2020-10-10 17:40:22

用雙極型晶體管構(gòu)成的隨機存儲��

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正文

    用雙極型晶體管構(gòu)成的隨機存儲�。它在半導體存儲器中是最先研制成功的,用作計算機的緩沖存儲�,使運算速度顯著提高。雙極型隨機存儲器的速度比磁芯存儲器速度約快 3個數(shù)量級,而且與雙極型邏輯電路型式相同,使接口大為簡化。雙極型隨機存儲器的制造工藝比 NMOS(見N溝道金屬-氧化�-半導體集成電路)復雜,密度不� MOS金屬-氧化�-半導體動�(tài)隨機存儲�。在半導體存儲器�,雙極型隨機存儲器�(fā)展速度最�,在計算機高速緩沖存儲器、控制存儲器、超高速大型計算機主存儲器等方面仍獲得廣泛應用。超高速發(fā)射極耦合邏輯電路隨機存儲器和高集成密度集成注入邏輯電路隨機存儲器已有新的�(fā)展�
    �1和圖2是雙極型隨機存儲器典型單元線路圖和剖面結(jié)�(gòu),其基本�(jié)�(gòu)是觸�(fā)�。圖3是典型的雙極型靜�(tài)隨機存儲器框圖。每個單元有一根字�,二根位線。單元的電流(或電壓)由字線控制,信息的寫入和讀出由位線控制。單元有二種狀�(tài),即選中狀�(tài)和等待狀�(tài)(又稱維持狀�(tài))。為減少功�,等待狀�(tài)的維持電流越小越�。選中時,應用足夠的讀寫電�,避免誤讀。圖1的單元采用電阻和二極管并�(lián)作為負載,采用浮動電壓方式工�;等待時,電壓低,二極管截止,電流受大電阻RC�20�40千歐)所限,約在15�40微安之間,選中時,電壓上�,二極管通導,位線電流可達400�500微安,不致誤讀。這種單元�(jié)�(gòu)雖然�8個元�,運用�(shè)計技巧可使所占用的硅片面積不致過�,僅略大于一個雙�(fā)射極晶體管。當集成度進一步提高到 16k位時,�1單元的等待狀�(tài)電流過大,可采用�2單元。等待狀�(tài)的電流可� 15微安下降�3微安,這種單元電路實際上是由二只可控硅�(gòu)成的觸發(fā)器組�,采用浮動字線電壓工作方�。等待狀�(tài)電流約為3微安;選中狀�(tài)�,電壓提高,信息電流約達1毫安�

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