2010年NAND Flash市場(chǎng)的主要成�(zhǎng)�(qū)�(dòng)力是�(lái)自于智能型手�(jī)和平板計(jì)算機(jī),都必須要使用SLC或MLC芯片,因此這兩種芯片都處于缺貨狀�(tài),而TLC芯片卻是持續(xù)供過(guò)于求,且將整�(gè)�(chǎn)�(yè)的平均價(jià)格往下拉,使得市�(diào)�(jī)�(gòu)iSuppli在統(tǒng)�(jì)2010年第2季全球NAND Flash�(chǎn)值時(shí),出�(xiàn)罕見(jiàn)的市�(chǎng)�(guī)??s小情況發(fā)�,從2010年第1�43億美元下降至41億美元,減少6.5%�
閃存芯片分為三類
SLC、MLC和TLC芯片
什么是SLC
SLC英文全稱(SingleLevelCell——SLC)即單層式�(chǔ)�。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用�
SLC技�(shù)特點(diǎn)是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄,在�(xiě)入數(shù)�(jù)�(shí)通過(guò)�(duì)浮置閘極的電荷加電壓,然后透過(guò)源極,即可將所�(chǔ)存的電荷消除,通過(guò)這樣的方�,便可儲(chǔ)�1�(gè)信息單元,這種技�(shù)能提供快速的程序編程與讀�,不�(guò)此技�(shù)受限于Siliconefficiency的問(wèn)題,必須要由較先�(jìn)的流程強(qiáng)化技�(shù)(Processenhancements),才能向上提升SLC制程技�(shù)�
什么是MLC
MLC英文全稱(MultiLevelCell——MLC)即多層式�(chǔ)�。主要由東芝、Renesas、三星使��
英特爾(Intel)在1997�9月開(kāi)�(fā)成功MLC,其作用是將兩�(gè)單位的信息存入一�(gè)Floating
Gate(閃存存�(chǔ)單元中存放電荷的部分),然后利用不同電位(Level)的電荷,通過(guò)�(nèi)存儲(chǔ)存的電壓控制精準(zhǔn)讀�(xiě)。MLC通過(guò)使用大量的電壓等�(jí),每�(gè)單元�(chǔ)存兩位數(shù)�(jù),數(shù)�(jù)密度比較�。SLC架構(gòu)�0�1兩�(gè)�,而MLC架構(gòu)可以一次儲(chǔ)�4�(gè)以上的�,因�,MLC架構(gòu)可以有比較好的儲(chǔ)存密度�
與SLC比較MLC的優(yōu)�(shì)
簽于目前市場(chǎng)主要以SLC和MLC�(chǔ)存為�,我們多了解下SLC和MLC�(chǔ)存,并且可以利用老舊的生�(chǎn)程備�(lái)提高�(chǎn)品的容量,無(wú)須額外投資生�(chǎn)�(shè)�,擁有成本與良率的優(yōu)�(shì)�
與SLC相比較,MLC生產(chǎn)成本較低,容量大。如果經(jīng)�(guò)改�(jìn),MLC的讀�(xiě)性能�(yīng)該還可以�(jìn)一步提��
與SLC比較MLC的缺�(diǎn)
MLC架構(gòu)有許多缺�(diǎn),首先是使用壽命較短,SLC架構(gòu)可以�(xiě)�10�(wàn)�,而MLC架構(gòu)只能承受�1�(wàn)次的�(xiě)��
其次就是存取速度�,在目前技�(shù)條件�,MLC芯片理論速度只能�(dá)�6MB左右。SLC架構(gòu)比MLC架構(gòu)要快速三倍以��
再�,MLC能耗比SLC高,在相同使用條件下比SLC要多15%左右的電流消��
雖然與SLC相比,MLC缺點(diǎn)很多,但在單顆芯片容量方面,目前MLC還是占了的優(yōu)�(shì)。由于MLC架構(gòu)和成本都具有�(yōu)�(shì),能滿足2GB�4GB�8GB甚至更大容量的市�(chǎng)需��
U�(pán)中使用的SLC、MLC、TLC閃存芯片的區(qū)�
SLC=Single-LevelCell,即1bit/cell,速度快壽命長(zhǎng),價(jià)格超貴(約MLC3倍以上的�(jià)格),約10�(wàn)次擦�(xiě)壽命
MLC=Multi-LevelCell,即2bit/cell,速度一般壽命一般,�(jià)格一�,約3000---10000次擦�(xiě)壽命
TLC=Trinary-LevelCell,即3bit/cell,也有Flash廠家�8LC,速度慢壽命短,價(jià)格便�,約500次擦�(xiě)壽命,目前還�(méi)有廠家能做到1000��
目前,安德旺科技生產(chǎn)的指紋U�(pán)�(chǎn)品中采用的閃存芯片都是三星MLC中的原裝A�(jí)芯片。讀�(xiě)速度:采用H2testwv1.4�(cè)�,三星MLC�(xiě)入速度:4.28-5.59MByte/s,讀取速度:12.2-12.9MByte/s。三星SLC�(xiě)入速度:8.5MByte/s,讀取速度:14.3MByte/s�
需要說(shuō)明的閃存的壽命指的是�(xiě)�(擦寫(xiě))的次�(shù),不是讀出的次數(shù),因?yàn)樽x取對(duì)芯片的壽命影響不��
面是SLC、MLC、TLC三代閃存的壽命差�
SLC利用�、負(fù)兩種電荷一�(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)1�(gè)bit的信息,�10�(wàn)次擦�(xiě)壽命�
MLC利用不同電位的電荷,一�(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)2�(gè)bit的信�,約一�(wàn)次擦�(xiě)壽命,SLC-MLC【容量大了一�,壽命縮短為1/10】�
TLC利用不同電位的電�,一�(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)3�(gè)bit的信息,�500-1000次擦�(xiě)壽命,MLC-TLC【容量大�1/2�,壽命縮短為1/20��
閃存�(chǎn)品壽命越�(lái)越短,現(xiàn)在市�(chǎng)上已�(jīng)有TLC閃存做的�(chǎn)品了
鑒于SLC和MLC或TLC閃存壽命差異太大
�(qiáng)烈要求數(shù)碼產(chǎn)品的生產(chǎn)商在其使用閃存的�(chǎn)品上�(biāo)明是SLC和MLC或TLC閃存�(chǎn)�
許多人對(duì)閃存的SLC和MLC區(qū)分不�。就拿目前熱銷的MP3隨身�(tīng)�(lái)�(shuō),是買SLC還是MLC閃存芯片的呢?在這里先告訴大家,如果你對(duì)容量要求不高,但是對(duì)�(jī)器質(zhì)�、數(shù)�(jù)的安全�、機(jī)器壽命等方面要求較高,那么SLC閃存芯片�。但是大容量的SLC閃存芯片成本要比MLC閃存芯片高很多,所以目�2G以上的大容量,低�(jià)格的MP3多是采用MLC閃存芯片。大容量、低�(jià)格的MLC閃存自然是受大家的青睞,但是其固有的缺點(diǎn),也不得不讓我們考慮一��
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