P�半導(dǎo)�,也稱為空穴型半�(dǎo)�。P型半�(dǎo)體即空穴濃度�(yuǎn)大于自由電子濃度�雜質(zhì)半導(dǎo)��
半導(dǎo)體中有兩種載流子:導(dǎo)帶中的電子和�(jià)帶中的空�。如果某一類型半導(dǎo)體的�(dǎo)電性主要依�?jī)r(jià)帶中的空�,則該類型的半導(dǎo)體就稱為P型半�(dǎo)體�
“P”表示正電的意�,取自英文Positive的�(gè)字母。在這類半導(dǎo)體中,參與導(dǎo)電的(即電荷載�)主要是帶正電的空�,這些空穴來自半導(dǎo)體中的受�。因此凡摻有受主雜質(zhì)或受主數(shù)量多于施主的半導(dǎo)體都是p型半�(dǎo)�。例�,含有適量三�(jià)元素�、銦、鎵等的鍺或硅等半導(dǎo)體就是P型半�(dǎo)��
由于P型半�(dǎo)體中正電荷量與負(fù)電荷量相�,故P型半�(dǎo)體呈電中�??昭ㄖ饕呻s�(zhì)原子提供,自由電子由熱激�(fā)形成。摻入的雜質(zhì)越多,多子(空穴)的濃度就越�,導(dǎo)電性能就越�(qiáng)�
要產(chǎn)生較多的空穴濃度就需依賴摻雜或缺�。在純凈的硅晶體中摻入三�(jià)元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半�(dǎo)體。對(duì)于Ⅳ族元�,半�(dǎo)�(�、硅�)需�(jìn)行Ⅲ族元素的摻雜;�(duì)于Ⅲ-Ⅴ族化合物半�(dǎo)�(如砷化鎵),常用摻雜Ⅱ族元素來提供所需的空穴濃�;在離子晶體型氧化物半�(dǎo)體中,化�(xué)配比的微量偏移可造成大量電載荷流�,氧量偏多時(shí)形成的缺陷可提供空穴,Cu2O、NiO、VO2等均是該類型的P型半�(dǎo)體,且當(dāng)它�?cè)谘鯄褐屑訜岷?,空穴濃度將隨之增加.上述能給半導(dǎo)體提供空穴的摻雜原子或缺�,均稱受主�