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�(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體�
閱讀�4208�(shí)間:2017-11-29 09:45:44

�(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管是由多�(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱(chēng)為單極型晶體�,它屬于電壓控制型半�(dǎo)體器件�
根據(jù)三極管的原理�(kāi)�(fā)出的新一代放大元�,有3�(gè)極性,柵極,漏�,源�,它的特�(diǎn)是柵極的�(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆�,屬于電壓控制型器件�

特點(diǎn)

  具有輸入電阻高(100000000�1000000000Ω�、噪聲小、功耗低、動(dòng)�(tài)范圍大、易于集�、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)�、安全工作區(qū)�?qū)挼葍?yōu)�(diǎn),�(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的�(qiáng)大競(jìng)�(zhēng)者�

作用

  �(chǎng)效應(yīng)管可�(yīng)用于放大.由于�(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很�,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容�.
  �(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)�(guān).
  �(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變�.常用于多�(jí)放大器的輸入�(jí)作阻抗變�.�(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電�.�(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流�.

分類(lèi)

  按溝道材�:�(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種�
  按導(dǎo)電方�:耗盡型與增強(qiáng)�,�(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡�,絕緣柵型�(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的�
  �(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為:結(jié)�(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS�(chǎng)效應(yīng)晶體�,而MOS�(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)�;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類(lèi)

主要參數(shù)

  IDSS—飽和漏源電�.是指�(jié)型或耗盡型絕緣柵�(chǎng)效應(yīng)管中,柵極電壓UGS=0�(shí)的漏源電�.
  Up—夾斷電�.是指�(jié)型或耗盡型絕緣柵�(chǎng)效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電�.
  Ut—開(kāi)啟電�.是指增強(qiáng)型絕緣柵�(chǎng)效管�,使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電�.
  gM—跨�(dǎo).是表示柵源電壓UGS—對(duì)漏極電流ID的控制能�,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比�.gM是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù).
  BVDS—漏源擊穿電�.是指柵源電壓UGS一定時(shí),�(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的漏源電壓.這是一�(xiàng)極限參數(shù),加在�(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BVDS.
  PDSM—耗散功率,也是一�(xiàng)極限參數(shù),是指�(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的漏源耗散功率.使用�(shí),�(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余�.
  IDSM—漏源電�.是一�(xiàng)極限參數(shù),是指�(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許通過(guò)的電�.�(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò)IDSM
  Cds---�-源電�
  Cdu---�-襯底電容
  Cgd---�-源電�
  Cgs---�-源電�
  Ciss---柵短路共源輸入電�
  COSS---柵短路共源輸出電�
  CRSS---柵短路共源反向傳輸電�
  D---占空比(占空系數(shù),外電路參數(shù)�
  di/dt---電流上升率(外電路參�(shù)�
  dv/dt---電壓上升率(外電路參�(shù)�
  ID---漏極電流(直流)
  IDM---漏極脈沖電流
  ID(on)---通態(tài)漏極電流
  IDQ---靜態(tài)漏極電流(射頻功率管�
  IDS---漏源電流
  IDSM---漏源電流
  IDSS---�-源短路時(shí),漏極電�
  IDS(sat)---溝道飽和電流(漏源飽和電流)
  IG---柵極電流(直流)
  IGF---正向柵電�
  IGR---反向柵電�
  IGDO---源極�(kāi)路時(shí),截止柵電流
  IGSO---漏極�(kāi)路時(shí),截止柵電流
  IGM---柵極脈沖電流
  IGP---柵極峰值電�
  IF---二極管正向電�
  IGSS---漏極短路�(shí)截止柵電�
  IDSS1---�(duì)管管漏源飽和電流
  IDSS2---�(duì)管第二管漏源飽和電流
  Iu---襯底電流
  Ipr---電流脈沖峰值(外電路參�(shù)�
  gfs---正向跨導(dǎo)
  Gp---功率增益
  Gps---共源極中和高頻功率增�
  gpg---共柵極中和高頻功率增�
  GPD---共漏極中和高頻功率增�
  ggd---柵漏電導(dǎo)
  gds---漏源電導(dǎo)
  K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)
  Ku---傳輸系數(shù)
  L---�(fù)載電感(外電路參�(shù)�
  LD---漏極電感
  Ls---源極電感
  rDS---漏源電阻
  rDS(on)---漏源通態(tài)電阻
  rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻
  rGD---柵漏電阻
  rgs---柵源電阻
  Rg---柵極外接電阻(外電路參數(shù)�
  RL---�(fù)載電阻(外電路參�(shù)�
  R(th)jc---�(jié)殼熱�
  R(th)ja---�(jié)�(huán)熱阻
  PD---漏極耗散功率
  PDM---漏極允許耗散功率
  PIN--輸入功率
  POUT---輸出功率
  PPK---脈沖功率峰值(外電路參�(shù)�
  to(on)---�(kāi)通延遲時(shí)�
  td(off)---�(guān)斷延遲時(shí)�
  ti---上升�(shí)�
  ton---�(kāi)通時(shí)�
  toff---�(guān)斷時(shí)�
  tf---下降�(shí)�
  trr---反向恢復(fù)�(shí)�
  Tj---�(jié)�
  Tjm---允許�(jié)�
  Ta---�(huán)境溫�
  Tc---管殼溫度
  Tstg---貯成溫度
  VDS---漏源電壓(直流)
  VGS---柵源電壓(直流)
  VGSF--正向柵源電壓(直流)
  VGSR---反向柵源電壓(直流)
  VDD---漏極(直流)電源電壓(外電路參數(shù)�
  VGG---柵極(直流)電源電壓(外電路參數(shù)�
  Vss---源極(直流)電源電壓(外電路參數(shù)�
  VGS(th)---�(kāi)啟電壓或閥電�
  V(BR)DSS---漏源擊穿電壓
  V(BR)GSS---漏源短路�(shí)柵源擊穿電壓
  VDS(on)---漏源通態(tài)電壓
  VDS(sat)---漏源飽和電壓
  VGD---柵漏電壓(直流)
  VSU---源襯底電壓(直流�
  VDU---漏襯底電壓(直流�
  VGu---柵襯底電壓(直流�
  Zo---�(qū)�(dòng)源內(nèi)�
  η---漏極效率(射頻功率管�
  Vn---噪聲電壓
  aID---漏極電流溫度系數(shù)
  ards---漏源電阻溫度系數(shù)

�(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳�(shí)�

  判定柵極G:將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k�,用萬(wàn)用表的負(fù)極任意接一電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩�(gè)�,�(cè)其電�.若兩次測(cè)得的電阻值近似相�,則負(fù)表筆所接觸的為柵極,另外兩電極為漏極和源�.漏極和源極互�,若兩次測(cè)出的電阻都很�,則為N溝道;若兩次測(cè)得的阻值都很小,則為P溝道.
  判定源極S、漏極D:
  在源-漏之間有一�(gè)PN�(jié),因此根據(jù)PN�(jié)�、反向電阻存在差�,可識(shí)別S極與D�.用交換表筆法�(cè)兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S�,紅表筆接D�.

與晶體三極管的比�

  �(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元�.在只允許從信�(hào)源取較少電流的情況下,�(yīng)選用�(chǎng)效應(yīng)�;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,�(yīng)選用晶體�.
  晶體三極管與�(chǎng)效應(yīng)管工作原理完全不同,但是各極可以近似�(duì)�(yīng)以便于理解和�(shè)�(jì)�
  晶體管:基極�(fā)射極集電�
  �(chǎng)效應(yīng)管:柵極源極漏極
  要注意的�,晶體管(NPN�)�(shè)�(jì)�(fā)射極電位比基極電位低(�0.6V),場(chǎng)效應(yīng)管源極電位比柵極電位高(�0.4V)�
  �(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)�,所以稱(chēng)之為單極型器�,而晶體管是即有多�(shù)載流�,也利用少�(shù)載流子導(dǎo)�,被稱(chēng)之為雙極型器�.
  有些�(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使�,柵壓也可正可�(fù),靈活性比晶體管好.
  �(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多�(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此�(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的�(yīng)�.

維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��

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