也稱為電子型半導(dǎo)�。N型半�(dǎo)體即自由電子濃度�(yuǎn)大于空穴濃度�雜質(zhì)半導(dǎo)��
半導(dǎo)體中有兩種載流子,即�(jià)帶中的空穴和�(dǎo)帶中的電子,以電子導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體稱之為N型半�(dǎo)�,與之相�(duì)�,以空穴�(dǎo)電為主的半導(dǎo)體稱為P型半�(dǎo)�?!癗”表示負(fù)電的意�,取自英文Negative的�(gè)字母。在這類半導(dǎo)體中�
參與�(dǎo)電的(即導(dǎo)電載�)主要是帶�(fù)電的電子,這些電子�(lái)自半�(dǎo)體中的施主。凡摻有施主雜質(zhì)或施主數(shù)量多于受主的半導(dǎo)體都是N型半�(dǎo)�。例�,含有適量五�(jià)元素�、磷、銻等的鍺或硅等半導(dǎo)��
由于N型半�(dǎo)體中正電荷量與負(fù)電荷量相等,故N型半�(dǎo)體呈電中性。自由電子主要由雜質(zhì)原子提供,空穴由熱激�(fā)形成。摻入的雜質(zhì)越多,多子(自由電子)的濃度就越�,導(dǎo)電性能就越�(qiáng)�
摻雜和缺陷均可造成�(dǎo)帶中電子濃度的增�.�(duì)于鍺、硅類半�(dǎo)體材�,摻雜Ⅴ族元�(�、砷、銻�),當(dāng)雜質(zhì)原子以替位方式取代晶格中的鍺、硅原子�(shí),可提供除滿足共�(jià)鍵配位以外的一�(gè)多余電子,這就形成了半�(dǎo)體中�(dǎo)帶電子濃度的增加,該類雜�(zhì)原子稱為施主.�-Ⅴ族化合物半�(dǎo)體的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素.某些氧化物半�(dǎo)體,如ZnO、Ta2O5等,其化�(xué)配比往往呈現(xiàn)缺氧,這些氧空位能表現(xiàn)出施主的作用,因而該類氧化物通常呈電子導(dǎo)電�,即是N型半�(dǎo)體,真空加熱,能�(jìn)一步加�(qiáng)缺氧的程�,這表�(xiàn)為更�(qiáng)的電子導(dǎo)電��
維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��
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