又稱p-n junction laser，半導(dǎo)體結(jié)型二極管激光器。是較成熟、較常用的一類半導(dǎo)體激光器，于1962年首次研制成功。

    它的主體是一個正向偏置的p-n結(jié)，當(dāng)電流密度超過閾值時，注入載流子（電子和空穴）在p-n結(jié)結(jié)區(qū)通過受激輻射復(fù)合，產(chǎn)生激光。其工作特性和輸出特性受溫度影響極大，故備有冷卻系統(tǒng)。最早的同質(zhì)結(jié)型砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體激光器，在一塊經(jīng)過加工的砷化鎵單晶體的上、下兩面上（p型與n型砷化鎵）分別焊上電極，組成諧振腔的兩端面要平行，并經(jīng)過研磨拋光，甚至涂膜，以增加反射，也可以直接利用平行的平坦晶面（自然解理面）組成諧振腔。砷化鎵的折射率約為3.6，在半導(dǎo)體與空氣的分界面上反射率高于30%，因此，它可提供光反饋作用，使激光振蕩能夠產(chǎn)生，激光波長約為9040?。

    1969年以后研制成功的砷化鎵單異質(zhì)結(jié)和雙異質(zhì)結(jié)型激光器，使閾值電流密度（一般約為10^4 A / cm^2）降低到每平方厘米數(shù)百安培，并實現(xiàn)了在室溫下激光器的連續(xù)運轉(zhuǎn)。

    半導(dǎo)體激光器件可用在雷達、計算機及通信系統(tǒng)中，或用作視頻唱片和聲頻唱片的光源，它在超高分辨率光譜學(xué)、集成光學(xué)以及軍事等方面有著廣泛的應(yīng)用。