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IRF640屬于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF640為設(shè)計(jì)者提供了轉(zhuǎn)換快速、堅(jiān)固耐用、低導(dǎo)通阻抗和高效益的強(qiáng)力組合。
TO-220封裝的IRF640普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應(yīng)用，低熱阻和低成本的TO-220封裝，使IRF640得到業(yè)內(nèi)的普遍認(rèn)可。D2PAK封裝的IRF640適用于貼片安裝，比起現(xiàn)有的任何其他貼片封裝，可說(shuō)是功率，導(dǎo)通阻抗。IRF640的D2PAK封裝可適應(yīng)高強(qiáng)度電流的應(yīng)用。IRF640的TO-262則適用于低端通孔安裝。
IRF640，采用TO-220AB 封裝方式。
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 值:18A
電壓, Vds :200V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.15ohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs :4V
封裝類型:TO-220AB
針腳數(shù):3
功率, Pd:150W
封裝類型:TO-220AB
晶體管類型:MOSFET
熱阻, 結(jié)至外殼 A:1°C/W
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds 典型值:200V
電流, Id 連續(xù):18A
電流, Idm 脈沖:72A
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
閾值電壓, Vgs th :4V
貼片安裝 IRF640S
可選卷帶包裝 IRF640S
低端通孔安裝 IRF640L
動(dòng)態(tài)dv/dt率
150℃工作溫度 IRF640S、IRF640L
快速轉(zhuǎn)換速率
可恢復(fù)性雪崩測(cè)定
并行簡(jiǎn)易
僅需簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)
無(wú)鉛環(huán)保
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