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SMD3225
閱讀�4138時間�2017-03-06 15:13:42

    頻率范圍�12 ~ 54 MHz

    頻率公差�25℃)± 10ppm± 30 ppm, or specify

    在工作溫度范圍內(nèi)的頻率穩(wěn)定度:� 10ppm± 30 ppm, or specify

    工作溫度范圍�- 20 ~ +70 oC, or specify

    并聯(lián)電容(C0):7 pF Max.

    �(qū)動級�1~200μW(100μW typical)

    �(fù)載電容:Series, 8 pF, 12 pF, 15 pF, 20pF, or specify

    老化�25℃):� 3 ppm / year Max.

    儲存溫度范圍�- 40 ~ + 85 oC

技�(shù)指標(biāo)

    ⒈總頻差:在�(guī)定的時間�(nèi),由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定�(biāo)稱頻率的頻差。說明:總頻差包括頻率溫度穩(wěn)定度、頻率溫度準(zhǔn)確度、頻率老化�、頻率電源電壓穩(wěn)定度和頻率負(fù)載穩(wěn)定度共同造成的頻�。一般只在對短期頻率�(wěn)定度�(guān)�,而對其他頻率�(wěn)定度指標(biāo)不嚴(yán)格要求的場合采用。例如:精密制導(dǎo)雷達(dá)。⒉ 頻率溫度�(wěn)定度:在�(biāo)稱電源和�(fù)載下,工作在�(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基�(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的允許頻�。ft=±(fmax-fmin�/(fmax+fmin)ftref =±m(xù)ax(fmax-fref�/fref|,|(fmin-fref�/fref|] ft:頻率溫度�(wěn)定度(不帶隱含基�(zhǔn)溫度)ftref:頻率溫度�(wěn)定度(帶隱含基準(zhǔn)溫度)fmax :�(guī)定溫度范圍內(nèi)測得的頻率fmin:�(guī)定溫度范圍內(nèi)測得的頻率fref:�(guī)定基�(zhǔn)溫度測得的頻率說明:采用ftref指標(biāo)的晶體振蕩器其生�(chǎn)難度要高于采用ft指標(biāo)的晶體振蕩器,故ftref指標(biāo)的晶體振蕩器售價較高�

    � 頻率�(wěn)定預(yù)熱時間:以晶體振蕩器�(wěn)定輸出頻率為基準(zhǔn),從加電到輸出頻率小于規(guī)定頻率允差所需要的時間。說明:在多�(shù)�(yīng)用中,晶體振蕩器是長期加電的,然而在某些�(yīng)用中晶體振蕩器需要頻繁的開機(jī)和關(guān)�(jī),這時頻率�(wěn)定預(yù)熱時間指�(biāo)需要被考慮到(尤其是對于在苛刻�(huán)境中使用的軍用通訊電臺,當(dāng)要求頻率溫度�(wěn)定度≤�0.3ppm�-45℃~85℃),采用ocxo作為本振,頻率穩(wěn)定預(yù)熱時間將不少�5分鐘,而采用dtcxo只需要十幾秒鐘)�

    � 頻率老化率:在恒定的�(huán)境條件下測量振蕩器頻率時,振蕩器頻率和時間之間的�(guān)�。這種長期頻率漂移是由晶體元件和振蕩器電路元件的緩慢變化造成�,可用規(guī)定時限后的變化率(如±10ppb/天,加電72小時后),或�(guī)定的時限�(nèi)的總頻率變化(如:�1ppm/(年)和±5ppm/(十年))來表示。說明:tcxo的頻率老化率為:�0.2ppm~±2ppm(年)和±1ppm~±5ppm(十年)(除特殊情況,tcxo很少采用每天頻率老化率的指標(biāo),因為即使在實驗室的條件�,溫度變化引起的頻率變化也將大大超過溫度�(bǔ)償晶體振蕩器每天的頻率老化,因此這個指�(biāo)失去了實際的意義�。ocxo的頻率老化率為:�0.5ppb~±10ppb/天(加電72小時后),�30ppb~±2ppm(年),±0.3ppm~±3ppm(十年)�

    ⒌頻率壓控范圍:將頻率控制電壓從基準(zhǔn)電壓�(diào)到規(guī)定的終點電壓,晶體振蕩器頻率的最小峰值改變量。說明:基準(zhǔn)電壓�+2.5v,�(guī)定終點電壓為+0.5v�+4.5v,壓控晶體振蕩器在+0.5v頻率控制電壓時頻率改變量�-110ppm,�+4.5v頻率控制電壓時頻率改變量�+130ppm,則vcxo電壓控制頻率壓控范圍表示為:≥�100ppm�2.5v±2v��

    ⒍壓控頻率響�(yīng)范圍:當(dāng)�(diào)制頻率變化時,峰值頻偏與�(diào)制頻率之間的�(guān)�。通常用規(guī)定的�(diào)制頻率比�(guī)定的�(diào)制基�(zhǔn)頻率低若干db表示。說明:vcxo頻率壓控范圍頻率響應(yīng)�0~10khz.⒎頻率壓控線性:與理想(直線)函�(shù)相比的輸出頻�-輸入控制電壓傳輸特性的一種量�,它以百�?jǐn)?shù)表示整個范圍頻偏的可容許非線性度。說明:典型的vcxo頻率壓控線性為:≤±10%,≤�20%.簡單的vcxo頻率壓控線性計算方法為(當(dāng)頻率壓控極性為正極性時):頻率壓控線�=±((fmax-fmin�/ f0)�100%fmax:vcxo在壓控電壓時的輸出頻率fmin:vcxo在最小壓控電壓時的輸出頻率f0:壓控中心電壓頻率⒏單邊帶相位噪聲£(f):偏離載波f�,一個相位調(diào)制邊帶的功率密度與載波功率之��

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