高速開�(guān)二極管較普通開�(guān)二極管的反向恢復(fù)時間更短,開、關(guān)頻率更快�
常用的國�(chǎn)高速開�(guān)二極管有2CK系列�
�(jìn)口高速開�(guān)二極管有1N系列�1S系列�1SS系列(有引線塑封)和RLS系列(表面安裝)�
高速開�(guān)二極� - � 征PN接合二極管由于利用了少數(shù)載子,因此導(dǎo)電調(diào)制效果雖然可以降低正向電�,但少數(shù)載子所帶有的反向恢�(fù)特性會阻礙高速切�。FRD和HED雖然都是PN接合二極管的一咱,但是將白金等重金屬加入Si單結(jié)晶中,增加電子和空穴的再�(jié)合中�,能迅速消滅關(guān)斷后的少�(shù)載子。同�,肖特基勢壘二極管主要是由多�(shù)載子在運(yùn)�,因此不會出�(xiàn)反向恢復(fù)特性。因�,運(yùn)行也更快��
PN接合二極管在正向電流的狀�(tài)下突然施加反向電壓的�,應(yīng)付以在瞬間有較大的反向電流流通。這是因為從PN接合注入的少�(shù)載子反向移動,而該電流將流通直到少�(shù)載子流出或消滅為�。高速開�(guān)二極管用于縮短反向電流變?yōu)榱銥橹沟臅r間(反向恢復(fù)時間:trr�、改善反向電流波形的平滑性�
高速恢�(fù)
(FRD:Fast Recovery Diode�
高速恢�(fù)二極管在�(jié)�(gòu)上和一般整流二極管基本相同,但它是一種有白金、金等摻雜物�(zhì)�(kuò)散在Si�(jié)晶中,增加了電子和空穴的再結(jié)合中心,�(guān)閉后少數(shù)載子會立刻被消滅的二極管。因此可以提高二極管的反向恢�(fù)特性(反向恢復(fù)時間:trr�,實�(xiàn)高速動��
高效二極�
(HED:High Efficiency Diode�
高效二極管比上述FRD速度更快,損失更低(正向電壓較低�,因此它使用外延晶圓,在利用�(dǎo)電調(diào)制效果(參考PIN二極管)來降低正向電阻的同時,通過追加重金屬擴(kuò)散,能在不損壞正向特性的情況�,提高反向恢�(fù)特�。HED用于比FRD更為高速的開關(guān)電路�
肖特基勢�
(SBD:Schottky Barrier Diode�
真空能量等級和傳�(dǎo)帶等級的能量的差(稱為電子親和力)是利用金屬和半�(dǎo)體的不同,根�(jù)和PN接合不同的原�,通過改變外加電壓的方向來控制電流開合的。它和利用少�(shù)載子�(kuò)散電流的PN接合不同,主要是利用多數(shù)載子的漂移電流,因此可以實現(xiàn)高速開�(guān)。肖特基勢壘二極管和PN接合二極管相比反向電流較大,因此在高壓下使用時容易發(fā)生熱故障,使用時要非常小��
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